De heterojunctie bipolaire transistor (HBT) is een type bipolaire junctietransistor (BJT) waarbij verschillende halfgeleidermaterialen worden gebruikt voor de emitter- en basisgebieden, waardoor een heterojunctie ontstaat. De HBT kan signalen met veel hogere frequenties verwerken (tot enkele honderden GHz) dan BJT. HBT's worden vaak gebruikt in moderne ultrasnelle circuits, meestal in radiofrequente (RF) systemen, en in toepassingen die een hoge vermogensefficiëntie vereisen, zoals RF-vermogenversterkers in mobiele telefoons. Het idee om een heterojunctie te gebruiken is even oud als de conventionele BJT, en gaat terug tot een octrooi uit 1951.